这款芯片上的激光器与50千兆赫兹电光调制器相结合，组成一台高功率发射器。
美国哈佛大学科学家在最新一期《光学》杂志上撰文称，他们研发出了首个集成在铌酸锂芯片上的激光器，为高功率通讯体系、全集成光谱仪、光学遥感，以及量子网络的高效变频等使用铺平了路途。
研讨人员解说称，长距离通讯网络、数据中心光互连和微波光子体系都依靠激光来产生光载波以用于数据传输。但大多数情况下，激光器是独立设备，坐落调制器外部，这会使总体系更贵重，且稳定性和可扩展性也较差。
在最新研讨中，哈佛大学工程与使用科学学院（SEAS）的研讨人员与职业合作伙伴携手，在铌酸锂芯片上开发了榜首台全集成高功率激光器。他们将小型但功能强大的分布式反应激光器集成在芯片上。这些激光器坐落蚀刻在铌酸锂芯片内的小井或沟槽中，且与铌酸锂内的50千兆赫兹电光调制器相结合，构建了一个高功率发射器。
最新研讨资深作者马科·隆卡尔说：“集成铌酸锂是开发高性能芯片级光学体系的重要渠道，但将激光器安装到铌酸锂芯片上已被证明是一个极大的应战。在这项研讨中，咱们凭借纳米制作技巧和技能，克服了这些应战，完成了在薄膜铌酸锂渠道上集成高功率激光器的方针。”
最新研讨榜首作者、SEAS研讨生阿米拉桑·沙姆斯·安萨里说：“集成高性能即插即用激光器将显着下降未来通讯体系的本钱、复杂性和功耗。咱们最新研发出来的这款集成激光器能够集成到更大的光学体系中，用于传感、激光雷达和数据通讯等一系列使用。”
研讨团队着重说，将薄膜铌酸锂器材与高功率激光器相结合，是朝着大规模、低本钱、高性能发射阵列和光网络方向迈出的要害一步。他们方案持续进步激光器的功率和可扩展性，以使其能使用于更多范畴。
