半导体激光器及其首要出产厂商汇总

  （LD，Laser Diode），是选用半导体资料作为作业物质而发生受激发射的一类。常用资料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。鼓励方法有电注入、电子束鼓励和光泵浦鼓励三种方法。半导体器材，一般可分为同质结、单异质结、双异质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器材，而双异质结激光器室温时可完成接连作业。半导体激光器的长处是体积小、重量轻、作业牢靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因而半导体激光器在激光通讯、光存储、光陀螺、

  半导体激光器作业原理是：经过必定的鼓励方法，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或许半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，完成非平衡载流子的粒子数回转，当处于粒子数回转状况的很多电子与空穴复合时便发生受激发射效果。半导体激光器的鼓励方法首要有三种：电注入式、电子束鼓励式和光泵浦鼓励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS（砷化镓）、InAS（砷化铟）、Insb（锑化铟）等资料制造成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行鼓励，在结平面区域发生受激发射。电子束鼓励式半导体激光器一般用N型或许P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作为作业物质，经过由外部注入高能电子束进行鼓励。光泵浦鼓励式半导体激光器一般用N型或P型半导体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为作业物质，以其它激光器宣布的激光作光泵鼓励。

  现在在半导体激光器材中，功能较好、使用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半导体激光器。

  半导体光电器材的作业波长和半导体资料的品种有关。半导体资猜中存在着导带和价带，导带上面能够让电子自在运动，而价带下面能够让空穴自在运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了光的能量从价带跳动到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又能够把电的能量变成光，这时资料禁带的宽度就决议了光电器材的作业波长。

  小功率半导体激光器（信息型激光器），大多数都用在信息技术范畴，例如用于光纤通讯及光交流体系的散布反应和动态单模激光器（DFB-LD）、窄线宽可调谐激光器、用于光盘等信息处理范畴的可见光波长激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。这一些器材的特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。

  大功率半导体激光器（功率型激光器），大多数都用在泵浦源、激光加工体系、印刷职业、生物医疗等范畴。

  半导体激光器首要向两个方向开展：一类是以传递信息为主的信息型激光器；另一类是以进步光功率为主的功率型激光器。

  在泵浦固体激光器等使用的推进下，高功率半导体激光器取得了突破性开展，其标志是半导体激光器的输出功率明显地添加，国外千瓦级的高功率半导体激光器现已商品化，国内样品器材输出已达到600W。未来，半导体激光器的开展的新趋势首要在高速宽激光器、大功率激光器、短波长激光器、中红外激光器等方面。

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